? БНТ е съкращение за Невярно Effect Transistor , вид електронно устройство, което контролира потока на електрически ток през верига. Най-простият вид на полевия транзистор е управляван с напрежение резистор , в която активен елемент е бар на силиций . Терминът БНТ капаче – нагоре се отнася до разрушителни, високо – актуално състояние , което може да бъде предизвикана от някои електрически условия , действащи върху компонентите на БНТ . БНТ капаче – нагоре обикновено предотвратява нормалната схема за управление . Semiconductor

A БНТ е съставена от два вида на полупроводникови кристали – материали , които провеждат електричество, но много слабо – известен като N – тип и р- тип материали. Два терминала , или електроди , известни като изтичане и източник , са свързани към N – тип материал , а трети извод , известен като вратата е свързан с р- тип материал . Токът, протичащ между източника и източването е контролиран от електрическо поле, създадено от приложеното напрежение между източника и портата .

Причина

БНТ капаче – нагоре се появява когато четири редуващи N- тип и р- тип региони да бъдат доведени близо един до друг , така, че те ефективно образуват два биполярни транзистори – транзистори , които използват както положителни, така и отрицателни носители на заряд – известни като NPN или PNP транзистори . Електрическият ток се прилага на базата на първия транзистор се усилва и предава втория транзистор . Ако токът на изхода на двете транзистори е по-голям от входния ток – или с други думи , сегашната “ печалба “ е по-голяма от 1 – на ток през двете от тях увеличава

<Бразилски . > Effects

БНТ капаче – нагоре води до прекомерно разсейване на мощност и дефектен логика в засегнатата портата , или порти. Прекалено разсейване мощност генерира прекомерна топлина , която може да унищожи напълно БНТ в крайности случаи. Следователно БНТ капаче – нагоре е крайно нежелателно и нейната превенция се превърна в основен проблем дизайн , особено в съвременните транзистори . Модерните транзистори са се свили с размери толкова малка, колкото 59 микро инча, или 59/1000000 от инча , в опит да увеличи верига плътност и подобряване на общата производителност .

Превенция

<стр. > а FET е това, което е известно като устройство мнозинство носител. С други думи , в нея се провежда с вида мнозинство носители – или отрицателно заредени частици , наречени електрони , или положително заредени носители , наречени дупки – в зависимост от конкретното дизайн на FET . БНТ резе – горе може да се избегне чрез разделяне материали N – тип и р- тип със структурата на БНТ . Разделяне често се постига чрез гравиране дълбок , тесен ров , изпълнен с изолационен материал между материалите на N- тип и р- тип .